威廉·肖克利

主要經歷

1932年，在加州理工學院獲學士學位。
1936年，在麻省理工(MIT)獲固體物理學博士學位，后留校任教。
1936-1955年，在貝爾實驗室工作，曾任晶體管物理部主任。
1938年，獲第一個專利“電子倍增放電器”。
1947年，與另兩位物理學家共同發明了晶體管。這個用來代替真空管的電子信號放大元件，成為電子工業的強大引擎，被媒體和科學界稱為“20世紀最重要的發明”。
1951年，成為美國國家科學院院士。
1955-1963年，在硅谷創辦肖克利半導體實驗室。因為個人的管理方法和公司內部不合，八名主要員工于1957年集體跳槽成立了仙童半導體公司，后來開發了第一塊集成電路。
1956年1月，被授予諾貝爾物理獎。
1960年，肖克利實驗室賣給了克萊維特實驗室。
1965年，又轉賣給了AT&T。
1963年，到斯坦福大學做教授。
1989年，逝世。

主要成就

1947年，與沃爾特·布萊登和約翰· 巴丁，發明出了“點接晶體管放大器”。
1950年11月，出版“半導體中的電子和電洞”一書，是基于在貝爾實驗室所給的一系列演講寫成的，成為這個專業的經典著作。
1951年，領導研究小組研制出第一個可靠的結型晶體管。