王占國-半導體材料物理學家介紹

• 中文名 王占國
• 性別 男
• 國籍 中國
• 民族 漢族
• 出生地 河南省南陽市
• 出生日期 1938年12月
• 畢業院校 南開大學
• 職業職位 中國科學院院士
• 主要成就 “國家科技進步三等獎”、“國家自然科學二等獎”

1962年，畢業于南開大學物理系，隨后進入中國科學院半導體所工作。

1980年 - 1983年，前往瑞典隆德大學固體物理系從事深能級物理和光譜物理研究。

1986年，擔任中國科學院半導體所研究員、材料室主任。

1990年，被批準為中國科學院半導體所博士生導師。

1990年 - 1994年，擔任中國科學院半導體所副所長。

1995年，當選為中國科學院院士。

1989年，榮獲“中國科學院科技進步一等獎”。

1990年，榮獲“國家科技進步三等獎”、“中國科學院科技進步三等獎”。

2001年，榮獲“國家自然科學二等獎”、“何梁何利科學與技術進步獎”。