一、場效應管有幾種類型
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
二、怎么選擇場效應管
1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）
挑選好場效應晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應晶體管。在典型的功率使用中，當1個場效應晶體管接地，而負載接入到干線電壓上時，該場效應晶體管就組成了低壓側開關。在低壓側開關中，應選用N溝道場效應晶體管，它是出自于對關閉或導通電子元件所要電壓的考慮。
2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗
在實際情況下，場效應晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導電過程中會有電能消耗，這叫做導通損耗。場效應晶體管在“導通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS（ON）所確認，并隨溫度而明顯變動。
電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因為導通電阻隨溫度變動，因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應晶體管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微升高。關于RDS（ON）電阻的各類電氣叁數變動可在生產商出示的技術資料表里得知。
3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況
一般建議采用針對最壞的結果計算，因為這個結果提供更大的安全余量，能夠確保系統不會失效。
