一、igbt和mos管的區別有哪些
1、什么是igbt
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。
2、mos管是什么
MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效應管，是場效應管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型、增強型、P溝耗盡型和增強型四大類。
3、igbt和mos管的區別
（1）在結構上，MOSFET和IGBT看起來非常相似，實則不同。IGBT由發射極、集電極和柵極端子組成，而MOSFET由源極、漏極和柵極端子組成。IGBT的結構中有PN結，MOSFET沒有任何PN結。
（2）在低電流區，MOSFET的導通電壓低于IGBT；在大電流區IGBT的正向電壓特性優于MOSFET。
（3）IGBT的高溫特性更好，導通電壓比MOSFET低。
（4）IGBT適用于中到極高電流的傳導和控制，而MOSFET適用于低到中等電流的傳導和控制。
（5）IGBT不適合高頻應用，它能在千Hz頻率下運行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應用，它可以在兆Hz頻率下運行良好。
（6）IGBT的開關速度比較低，MOSFET開關速度非常高。
（7）IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率，MOSFET僅適用于低至中壓應用。
（8）IGBT具有較大的關斷時間，MOSFET的關斷時間較小。
（9）IGBT可以處理任何瞬態電壓和電流，但當發生瞬態電壓時，MOSFET的運行會受到干擾。
（10）MOSFET器件成本低，價格便宜，而IGBT至今仍屬于較高成本器件。IGBT適合高功率交流應用，MOSFET適合低功率直流應用。?
二、igbt和mos管哪個好
igbt和mos管相比，各有各的優勢和缺點，并不好說哪種更好，主要是根據實際應用場合來選擇：
1、IGBT的主要優勢是能夠處理和傳導中至超高電壓和大電流，擁有非常高的柵極絕緣特性，且在電流傳導過程中產生非常低的正向壓降，哪怕浪涌電壓出現時，IGBT的運行也不會受到干擾。與MOSFET相比，IGBT開關速度較慢，關斷時間較長，不適合高頻應用，比較適合高壓大電流應用。
2、MOSFET的優點決定了它非常適合高頻且開關速度要求高的應用。在開關電源（SMPS）中，MOSFET的寄生參數至關重要，它決定了轉換時間、導通電阻、振鈴（開關時超調）和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS的效率密切相關。對于門驅動器或者逆變器應用，通常需要選擇低輸入電容（利于快速切換）以及較高驅動能力的MOSFET。?
三、igbt和mos管能互換嗎
不能。
IGBT和MOSFET工作特性不一樣，一般不能互換，在考慮具體技術細節的情況下，可以用IGBT替代MOSFET，需要考慮的問題點有：
1、電路的工作頻率
IGBT工作頻率低，一般25Khz是上限。如果電路工作頻率超過IGBT頻率上限（以具體管子數據手冊為準），不能替換。
2、驅動電路的關斷方式
MOSFET可以用零壓關斷，也可以用負壓關斷。IGBT只能用負壓關斷。如果電路驅動電路，只是零壓關斷，一般不能替代。
3、功率管并聯
MOSFET是正溫度特性，可以直接并聯擴流，而IGBT是負溫度特性，不能直接并聯。如果電路是多個MOSFET并聯使用，不能用IGBT簡單替換。
4、電路是否需要開關器件續流二極管
MOSFET自帶寄生二極管，IGBT則是另外加進去的。保險起見，只選擇帶續流二極管的IGBT。
5、IGBT輸入電容
IGBT輸入電容要和原電路MOSFET的輸入電容接近。這只是考慮驅動電路的驅動能力，與MOSFET和IGBT特性無關。
6、過流保護電路
對過流保護電路，IGBT要求更高。如果沒有電路圖的話，可以通過短路試驗來確定能否替換。
對于常見的簡單電路，考慮上述幾個因素，就可以用符合功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。
