一、igbt模塊損壞的原因有哪些
IGBT模塊是能源變換與傳輸的核心器件，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車等領域有著廣泛的應用。在使用過程中，IGBT模塊受到容性或感性負載的沖擊，可能導致模塊損壞，一般igbt模塊損壞的原因主要有：
1、過電流損壞
（1）鎖定效應
IGBT為復合器件， 其內有一個寄生晶閘管，在規定的漏極電流范圍內，NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導通，當漏極電流大到一定程度時， 這個正偏壓足以使NPN晶體管開通，進而使NPN或PNP晶體管處于飽和狀態，于是寄生晶閘管開通，柵極失去了控制作用，便發生了鎖定效應。IGBT發生鎖定效應后，集電極電流過大，造成了過高的功耗而導致器件損壞。
（2）長時間過流運行
IGBT模塊長時間過流運行是指IGBT的運行指標達到或超出RBSOA（反偏安全工作區）所限定的電流安全邊界（如選型失誤、安全系數偏小等），出現這種情況時，電路必須能在電流到達RBSOA限定邊界前立即關斷器件，才能達到保護器件的目的。
（3）短路超時（>10us）
短路超時是指IGBT所承受的電流值達到或超出SCSOA（短路安全工作區）所限定的最大邊界，比如4-5倍額定電流時，必須在10us之內關斷IGBT。如果此時IGBT所承受的最大電壓也超過器件標稱值，IGBT必須在更短的時間內被關斷。
2、過電壓損壞和靜電損壞
IGBT在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的最高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過 電壓損壞可分為集電極柵極過電壓、柵極-發射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對于由高du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結構吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT因受集電極發射極過電壓而損壞。
采用柵極電壓動態控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當IGBT處于感性負載運行時，半橋結構中處于關斷的IGBT，由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極發射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數情況下，該du/dt值要比IGBT正常關斷時的集電極發射極電壓上升率高，由于米勒電容（ Cres）的存在，該du/dt值將 在集電極和柵極之間產生一個 瞬間電流，流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓VGEth值。出現惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發導通，導致變換器的橋臂短路。
3、過熱損壞
過熱損壞一般指使用中IGBT模塊的結溫正超過晶片的最大溫度限定，目前應用的IGBT器件還是以Tjmax=150℃的NPT技術為主流的，為此在IGBT模塊應用中其結溫應限制在該值以下。
4、G-E間開放狀態下外加主電路電壓
在門極一發射極問開 放的狀態下外加主電路電壓，會使IGBT自動導通，通過過大的電流，使器件損壞（這種現象是由于G-E間在開放狀下，外加主電壓，通過IGBT的反向傳輸電容Cres給門極-發射極間的電毒充電，使IGBT導通而產生的）。在IGBT器件試驗時，通過旋轉開關等機械開關進行信號線的切換，由于切換時G_E間瞬間變為開放狀態，可能產生上述現象而損壞IGBT器件。另外，在機械開關出現振動的情況下，也存在同樣的時間段，可能損壞元件。為了防止這種損壞，必須先將主電路（C-E間）的電壓放電至0V,再進行門極信號的切換。另外，對由多個IGBT器件（一組2個以上）構成的裝置在進行試驗等特性試驗時，測試IGBT器件以外的門極一發射極間必須予以短路。
5、機械應力對產品的破壞
IGBT器件的端子如果受到強外力或振動，就會產生應力，有時會導致損壞IGBT器件內部電氣配線等情況。在將IGBT器件實際安裝到裝置上時，應避免發生類似的應力。如果不固定門極驅動用的印刷基板即安裝時，裝置在搬運時由于受到振動等原因，門極驅動用的印刷基板也振動，從而使IGBT器件的端子發生應力，引起IGBT器件內部電氣配線的損壞等問題。為了防止這種不良情況的發生，需要將門極驅動用的印刷基板固定。
二、igbt模塊怎么測量好壞
判斷IGBT模塊是否損壞，一般需要先對其進行檢測，igbt模塊的檢測一般分為兩部分：
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G），其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接地為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
三、IGBT模塊檢測注意事項
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。
